美光宣布第九代NAND閃存技術量產

美光科技當地時間7月30日宣布其采用第九代（G9）TLC NAND技術的 SSD 產品已開始出貨，成為業界首家實現這一里程碑的廠商之一。美光 G9 NAND 技術具備高達 3.6 GB/s 的數據傳輸速率，提供卓越的數據讀寫帶寬。該項 NAND 新技術為人工智能（AI）及其他數據密集型應用場景帶來出色的性能，適用于個人設備、邊緣服務器、企業和云數據中心。

美光 G9 NAND 技術憑借卓越的 NAND 輸入/輸出（I/O）速率，可滿足數據密集型工作負載的高吞吐需求，其數據傳輸速率比當前 SSD 中的 NAND 技術要快 50%。[同時，與市場上現有的同類 NAND 解決方案相比，美光 G9 NAND 的每顆芯片寫入帶寬和讀取帶寬分別高出 99% 和 88%。這些優勢共同提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能與能效。

與前一代 NAND 產品相同，美光 G9 NAND 采用 11.5mm x 13.5mm 的緊湊封裝，比同類產品節省 28% 的空間，是卓越的小尺寸、高密度 NAND。在更小的尺寸內實現更高的密度，從而最大限度地增加了各種用例的設計選擇。

美光執行副總裁暨首席商務官 Sumit Sadana 表示：“美光已經連續第三代引領業界，推出創新、領先的 NAND 技術。集成美光G9 NAND 的產品將具備顯著的性能優勢，該技術將成為存儲創新的基礎，為所有終端市場的客戶帶來價值。”